為了提升密度，閃存廠商們拚了，蜜桃视频网站观看免费网页機可以助力閃存發展嗎？
文章導讀：發展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進展？以及在提升NAND閃存密度方麵，行業廠商正在進行哪些努力，市場未來又將走向何方？蜜桃视频网站观看免费网页機行業在芯片領域應該如何發力，什麽樣的蜜桃视频网站观看免费网页機設備能更好的解決芯片的表麵處理難題？
在如今大數據時代，NAND閃存無疑是數據存儲的奠基者。不管是手機、電腦、家電還是汽車、安防等行業，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。在此趨勢下，全球NAND Flash存儲容量持續保持增長，2020年存儲容量達到5300億GB，預計2022年將達6110億GB。
隨著存儲容量的不斷增長，NAND Flash存儲原廠的產品生產工藝也在不斷發展，存儲晶圓工藝製程、電子單元密度、閃存堆疊層數等都經曆了較大的技術迭代和發展。
發展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進展？以及在提升NAND閃存密度方麵，行業廠商正在進行哪些努力，市場未來又將走向何方？蜜桃视频网站观看免费网页機行業在芯片領域應該如何發力，什麽樣的蜜桃视频网站观看免费网页機設備能更好的解決芯片的表麵處理難題？
三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨創圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術，雖然隻有24層，但卻突破了平麵技術的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產產品比三星晚了整整三年。
有數據統計，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進入3D時代，芯片的層數比拚一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術賽跑中，存儲廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數以及提高產量也是衡量技術實力的標準。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實現量產，這也是全球首款突破200層大關的固態存儲芯片。
從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝製程演進為評判標準，而邁入3D NAND之後，工藝製程演進相對緩慢，堆疊層數取代工藝製程成為新的介質進化標準。
從各廠商的技術藍圖來看，NAND Flash堆疊層數預計在2022年將達到2XX層，而工藝製程則可能停留在20nm左右。
從WSTS公布的出貨量數據來看，NAND閃存的發展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩定；2018年之後，受益於數據中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以後音樂播放器、數碼相機、手機等領域疾速增長，NAND閃存市場需求持續上揚，出貨量以線性趨勢持續增加
在 NAND閃存擴展飽和後，隨著大數據、物聯網、數據中心等新興市場的發展，三星、英特爾、鎧俠、西部數據、長江存儲等一係列閃存廠商再次紛紛加速技術演進和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導權。
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隨著存儲容量的不斷增長，NAND Flash存儲原廠的產品生產工藝也在不斷發展，存儲晶圓工藝製程、電子單元密度、閃存堆疊層數等都經曆了較大的技術迭代和發展。
為了提升密度，閃存廠商做了哪些努力？
回顧3D NAND閃存的發展曆程，東芝最早在2007年提出了此概念，並表明NAND閃存未來的發展趨勢將集中於降低單位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND閃存，並投入量產，代表著3D NAND閃存從技術概念走向了商業市場。三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨創圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術，雖然隻有24層，但卻突破了平麵技術的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產產品比三星晚了整整三年。
有數據統計，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進入3D時代，芯片的層數比拚一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術賽跑中，存儲廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數以及提高產量也是衡量技術實力的標準。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實現量產，這也是全球首款突破200層大關的固態存儲芯片。
芯片製程“雙刃劍”
此外，NAND的製程是另一個影響NAND存儲密度的關鍵因素。2D NAND從早期50+nm到19nm，最後發展到了16/15nm，每次製程的升級都將NAND存儲密度提升到新的高度，但是NAND閃存的製程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝製程演進為評判標準，而邁入3D NAND之後，工藝製程演進相對緩慢，堆疊層數取代工藝製程成為新的介質進化標準。
從各廠商的技術藍圖來看，NAND Flash堆疊層數預計在2022年將達到2XX層，而工藝製程則可能停留在20nm左右。
寫在最後
NAND閃存的概念可以追溯到上世紀80年代，而真正步入發展軌道則是從2000年開始。從WSTS公布的出貨量數據來看，NAND閃存的發展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩定；2018年之後，受益於數據中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以後音樂播放器、數碼相機、手機等領域疾速增長，NAND閃存市場需求持續上揚，出貨量以線性趨勢持續增加
在 NAND閃存擴展飽和後，隨著大數據、物聯網、數據中心等新興市場的發展，三星、英特爾、鎧俠、西部數據、長江存儲等一係列閃存廠商再次紛紛加速技術演進和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導權。
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